特許

J-GLOBAL ID：200903075313981342

III族窒化物半導体結晶層の成長方法およびIII族窒化物半導体結晶層を具備する半導体装置

発明者： 宇田川 隆 ,  寺嶋 一高 ,  西村 鈴香
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-036830
公開番号（公開出願番号）：特開2000-235956
出願日： 1999年02月16日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：

【要約】【課題】 気相成長法により、珪素単結晶基板上に高品質のIII 族窒化物半導体結晶層を形成できる成長方法を提供する。また、本発明の成長方法により形成されたIII 族窒化物半導体結晶層を利用して、高性能で作製が容易なLED等の半導体装置を提供する。【解決手段】 気相成長法により、Si単結晶基板上に、まず多結晶または非晶質のBPからなる第1の緩衝層を低温で成長し、その後該第1の緩衝層上に、単結晶のBPからなる第2の緩衝層を高温で成長する。第2の緩衝層上に、気相成長法により、一般式Alp Gaq Inr N(0≦p≦1、0≦q≦1、0≦r≦1、p+q+r=1)で表されるIII 族窒化物半導体から成る結晶層を成長する。

請求項（抜粋）：

珪素(Si)単結晶基板上に、200°C以上700°C以下の温度で、気相成長法により、リン化硼素(組成式:BP)からなる第1の緩衝層を成長する工程と、該第1の緩衝層上に、750°C以上1200°C以下の温度で、気相成長法により、リン化硼素からなる第2の緩衝層を成長する工程と、該第2の緩衝層上に、気相成長法により、一般式Alp Gaq Inr N(0≦p≦1、0≦q≦1、0≦r≦1、p+q+r=1)で表されるIII 族窒化物半導体からなる結晶層を成長する工程とを有するIII 族窒化物半導体結晶層の成長方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (34件)：

5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB15 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF02 ,  5F045CA10 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53

引用特許：

審査官引用 (6件)

• III族窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-154116   出願人：寺嶋一高
• 特開昭52-064873
  
• 特開平3-034551
  
• 特開平2-184021
  
• ダイヤモンド薄膜の製造方法およびダイヤモンド基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-309656   出願人：住友電気工業株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-062812   出願人：株式会社東芝