特許

J-GLOBAL ID：200903075324727685

半導体集積回路

発明者： 田中 光男
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-235647
公開番号（公開出願番号）：特開2003-051543
出願日： 2001年08月03日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：

【要約】【課題】 高集積でアイソレーション特性の優れた集積回路を提供する。【解決手段】 半導体基板の上の能動素子領域1(トランジスタなど)と受動素子領域2(抵抗、コンデンサなど)の上に、DC電位(例えばGND電位)に接続された網目状の配線パターン3を形成する。さらに、その上部にインダクタ領域4とコンデンサ領域5を配線工程により形成する。これにより、半導体集積回路のチップサイズを縮小でき、かつ寄生容量を増加させることなく、上層素子(コンデンサ、インダクタ)と下層素子(能動素子、受動素子)との間のアイソレーション特性を向上できる。

請求項（抜粋）：

能動素子と受動素子とを備えた半導体集積回路において、半導体基板の一主面に形成された少なくとも前記能動素子と、前記能動素子の上部に形成された前記受動素子と、前記能動素子と前記受動素子の間に配設された網目状、スリット状、ミアンダ状、スパイラル状あるいは梯子状などの導体膜からなる配線層とを備えた半導体集積回路。

IPC (4件)：

H01L 21/822 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/762 ,  H01L 27/04

FI (7件)：

H01L 27/04 H ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/04 P ,  H01L 27/04 L ,  H01L 27/04 U ,  H01L 21/88 A ,  H01L 21/76 D

Fターム (43件)：

5F032AA04 ,  5F032AC04 ,  5F032BA08 ,  5F032BB03 ,  5F032BB04 ,  5F032BB08 ,  5F032CA14 ,  5F032CA23 ,  5F032DA78 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK08 ,  5F033MM21 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033UU01 ,  5F033VV01 ,  5F033VV03 ,  5F033VV04 ,  5F033VV05 ,  5F033VV08 ,  5F033VV09 ,  5F033VV10 ,  5F033XX01 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27 ,  5F033XX34 ,  5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC17 ,  5F038AR13 ,  5F038AZ05 ,  5F038BH10 ,  5F038BH19 ,  5F038DF12 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• モノリシック集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-241468   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開平2-162755
  
• 半導体集積回路の自動配線レイアウト方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-120586   出願人：日本電気株式会社