特許

J-GLOBAL ID：200903075331042191

薄膜トランジスタ用シート及びその製造方法

発明者： 平井 桂
出願人/特許権者： コニカミノルタホールディングス株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-345355
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179478
出願日： 2002年11月28日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：

【課題】簡便な方法で半導体活性層のパターニング工程を削減することにより、低価格を実現できる薄膜トランジスタ用シート。【解決手段】シート状の支持体の上に少なくともゲートバスライン、ソースバスライン、ソース電極、ドレイン電極及び半導体活性層を形成した薄膜トランジスタ用シートにおいて、前記半導体活性層が全面に成膜された後、前記ゲートバスライン上で実質的に前記半導体活性層を分断する加工が施されたこと。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

シート状の支持体の上に少なくともゲートバスライン、ソースバスライン、ソース電極、ドレイン電極及び半導体活性層を形成した薄膜トランジスタ用シートにおいて、 前記半導体活性層が全面に成膜された後、前記ゲートバスライン上で実質的に前記半導体活性層を分断する加工が施されたことを特徴とする薄膜トランジスタ用シート。

IPC (4件)：

H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (5件)：

H01L29/78 627C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 621 ,  H01L21/76 Z ,  H01L29/28

Fターム (53件)：

5F032AA01 ,  5F032AC04 ,  5F032CA05 ,  5F032CA09 ,  5F032CA17 ,  5F032CA23 ,  5F032DA02 ,  5F032DA04 ,  5F032DA06 ,  5F032DA07 ,  5F032DA09 ,  5F032DA24 ,  5F032DA32 ,  5F032DA41 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG53 ,  5F110GG54 ,  5F110GG55 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN61 ,  5F110NN65 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 電界効果型トランジスタ、その製造方法及びそれを用いた液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-146004   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-352273   出願人：シャープ株式会社
• 画像形成材料及び画像形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-254922   出願人：コニカ株式会社