特許
J-GLOBAL ID：200903075340584193

不揮発性メモリおよび改善された部分的ページプログラミング機能を備えた制御処理

発明者：
リ,ヤン

リ,ヤン について

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フォング,ユーピン カーウイング

フォング,ユーピン カーウイング について

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三輪 達

三輪 達 について


出願人/特許権者：
サンディスク コーポレイション

サンディスク コーポレイション について


代理人 (1件)： 井ノ口 壽
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-509536
公開番号（公開出願番号）：特表2007-534106
出願日： 2005年04月19日
公開日（公表日）： 2007年11月22日
要約：
2以上のシーケンシャルなプログラミングパス時にメモリセルのプログラミングが行われる不揮発性メモリのプログラミング方式において、このメモリセルのうちの少なくともいくつかのメモリセルを第2のパス中にプログラムするのに不十分なホストデータしか存在しないとき、このメモリセルのうちのいくつかを誤ったしきい値電圧に合わせてプログラミングを行ってしまう場合がある。このような誤ったプログラミングが生じないようにするために、このプログラミング方式を変更することによって、この誤ったプログラミングの防止が可能となる。1つの実施構成では、この第2のプログラミングパス中、誤ったしきい値電圧に合わせたプログラミングをこのメモリセルに行わせないようにするコード構成を選択することにより、すなわち、エラーを含む状態に合わせたプログラミングをこのセルに行わせないようにする代替データに基づいてこのメモリセルのプログラミングを行うことにより、この防止は達成される。
請求項（抜粋）：
不揮発性メモリセルの対応する異なる電荷レベルとして電荷蓄積素子の中にデータを蓄積するタイプの不揮発性メモリセルのプログラミングを行う方法であって、前記素子の電荷蓄積レベルが、前記プログラミングに先立って、リセットされた電荷蓄積レベルの分布状態にあり、前記方法が、 少なくとも2回のパスで前記電荷蓄積素子をプログラムするステップであって、第1のパス中に前記素子のうちの選択した素子をプログラムして、第1の蓄積レベルの分布状態に変え、後続する第2のパス中に前記リセットされた電荷蓄積レベルの分布状態にある素子のうちの選択した素子をプログラムして、第2の蓄積レベルの分布状態に変え、前記第1の蓄積レベルの分布状態にある素子のうちの選択した素子をプログラムして、第3の蓄積レベルの分布状態に変え、前記第2の蓄積レベルの分布状態が、前記リセットされた蓄積レベルの分布状態と前記第1の蓄積レベルの分布状態との間にある、プログラムするステップを有し、 前記素子のうちの少なくとも1つの素子を前記第2のパス中にプログラムするのにホストデータが不十分な場合、前記少なくとも1つの素子をプログラムして、前記第1のパス中に前記第1の蓄積レベルに変え、前記プログラムするステップが、前記少なくとも1つの素子の電荷蓄積レベルを、前記第2のパスの後に前記第3の蓄積レベルの分布状態の電荷蓄積レベル未満となるようにする方法。
IPC (1件)：
G11C 16/02
FI (2件)：
G11C17/00 611G ,  G11C17/00 641
Fターム (12件)：
5B125BA05 ,  5B125BA08 ,  5B125BA19 ,  5B125CA06 ,  5B125DB01 ,  5B125DB19 ,  5B125DC03 ,  5B125DE17 ,  5B125EA01 ,  5B125EA04 ,  5B125EA05 ,  5B125FA05
引用特許：
出願人引用 (22件)
  • 米国特許第5,595,924号
  • 米国特許第5,903,495号
  • 米国特許第6,046,935号
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審査官引用 (2件)

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