光転写用複製マスク及びその製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：渡邉勇 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-136149
公開番号（公開出願番号）：特開平11-316452
出願日： 1998年04月30日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】安価な使い捨ても可能な量産用の、光の波長以下の微細な線幅の二次元的なパターンを備えた光転写用複製マスク及びその製造方法を提供する。【解決手段】エバネッセント場を利用した光露光に用いる光転写用複製マスクであって、光透過性の材料13に光の波長より小さいサイズの近接場露光パターン12aを備え、該近接場露光パターン12aは母型11に固定された近接場露光パターン12を転写して形成した。

請求項（抜粋）：

エバネッセント場を利用した光露光に用いる光転写用複製マスクであって、光透過性の材料に光の波長より小さいサイズの近接場露光パターンを備え、該近接場露光パターンは母型に固定された近接場露光パターンを転写して形成したことを特徴とする光転写用複製マスク。

IPC (3件)：

G03F 1/08 , G21K 5/02 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 1/08 A , G21K 5/02 Z , H01L 21/30 502 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

光露光または転写方法および装置またはそのためのマスク
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-319781 出願人：株式会社日立製作所
特開昭60-024016
特開昭61-268414

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