基板処理装置および基板処理方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-287949
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208579
出願日： 2001年09月21日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】基板に存在する有機物を、有機物の除去液で除去する処理、特に基板からレジスト膜を除去する処理を行ったときの処理品質を向上させる。【解決手段】処理液と加圧された気体とを混合して処理液ミストを作製する混合部30と、一端が混合部30に接続され他端に向かって狭くなるテーパ状流路34を有する吐出部とを有する気液混合ノズル27を設け、気液混合ノズル27から処理液ミストを高速で基板に噴射する。

請求項（抜粋）：

レジスト膜をマスクとして基板の表面に存在する薄膜をドライエッチングするドライエッチング工程を経た基板から、該ドライエッチング工程によって基板上に生成された反応生成物を除去する基板処理装置において、前記ドライエッチング工程を経た基板を保持して回転する保持回転部と、回転している基板に対して反応生成物を除去する除去液を供給する除去液供給部と、回転している基板に対して純水を供給する純水供給部とを有し、前記純水供給部は、液体と加圧されたガスとを混合してミストを形成する混合室を有する混合部と、一端が混合室に接続され他端に向って狭くなるテーパ状流路を有する吐出部とを有する気液混合ノズルを有するとともに、前記気液混合ノズルはガスと純水とを混合して純水ミストを基板に供給する基板処理装置。

IPC (8件)：

H01L 21/304 643 , H01L 21/304 , B05B 7/04 , B05C 11/08 , B05C 11/10 , G03F 7/42 , H01L 21/027 , H01L 21/306

FI (8件)：

H01L 21/304 643 C , H01L 21/304 643 A , B05B 7/04 , B05C 11/08 , B05C 11/10 , G03F 7/42 , H01L 21/306 J , H01L 21/30 572 B

Fターム (33件)：

2H096AA25 , 2H096HA23 , 2H096LA02 , 2H096LA30 , 4F033QA09 , 4F033QB02Y , 4F033QB03X , 4F033QB13Y , 4F033QB17 , 4F033QD03 , 4F033QD15 , 4F033QE09 , 4F042AA07 , 4F042AB00 , 4F042CC04 , 4F042CC10 , 4F042DA01 , 4F042DF28 , 4F042DF32 , 4F042EB05 , 4F042EB09 , 4F042EB17 , 4F042EB23 , 5F043AA40 , 5F043CC20 , 5F043DD13 , 5F043EE07 , 5F043EE08 , 5F043EE10 , 5F043EE30 , 5F043GG10 , 5F046MA10 , 5F046MA19

引用特許：

審査官引用 (3件)

ドライエッチングの後処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-006474 出願人：三菱電機株式会社
基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-362252 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
シャワー装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-322796 出願人：荏原裕行

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