特許

J-GLOBAL ID：200903075404456631

高純度・超微粉SiOx粉及びその製造方法

発明者： 今村 保男 ,  野々垣 良三
出願人/特許権者： 電気化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-003226
公開番号（公開出願番号）：特開2003-206126
出願日： 2002年01月10日
公開日（公表日）： 2003年07月22日
要約：

【要約】【課題】比表面積が10m2 /g以上、Na,Fe,Al,Clの合計量が10ppm以下の高純度・超微粉SiOx(x=0.6〜1.8)粉を提供する。【解決手段】モノシランガスとモノシランガスの酸化性ガスとを、圧力10〜1000kPaの非酸化ガス雰囲気下、温度500〜1000°Cで反応させることによって、比表面積が10m2 /g以上、Na,Fe,Al,Clの合計量が10ppm以下である高純度・超微粉SiOx(x=0.6〜1.8)粉を製造することができる。この場合において、非酸化性ガス量は、モノシランガスとモノシランの酸化性ガスの酸化反応に与る酸素量との合計量よりも多くすることが好ましい。

請求項（抜粋）：

比表面積が10m2 /g以上、Na,Fe,Al,Clの合計量が10ppm以下であることを特徴とする高純度・超微粉SiOx(x=0.6〜1.8)粉。

IPC (2件)：

C01B 33/18 ,  C01B 33/113

FI (2件)：

C01B 33/18 Z ,  C01B 33/113 A

Fターム (14件)：

4G072AA24 ,  4G072AA25 ,  4G072BB05 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH02 ,  4G072HH04 ,  4G072MM01 ,  4G072RR03 ,  4G072RR11 ,  4G072TT05 ,  4G072TT19 ,  4G072TT20 ,  4G072UU01

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 低級酸化ケイ素粉末の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-002288   出願人：電気化学工業株式会社
• 多孔質シリカ顆粒、その製造方法及び該多孔質シリカ顆粒を用いた合成石英ガラス粉の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-273752   出願人：信越石英株式会社
• 高活性な酸化珪素粉末及び製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-036437   出願人：信越化学工業株式会社