特許

J-GLOBAL ID：200903075415932435

回路内蔵受光素子

発明者： 瀧本 貴博 ,  久保 勝 ,  福永 直樹
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-122054
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307086
出願日： 1996年05月16日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】 分割フォトダイオードPDを搭載した回路内蔵受光素子101において、該分割フォトダイオードの分割部DBに光ビームが照射された際に、光キャリアが拡散で移動する距離が長くなることによる応答速度の劣化を改善し、遮断周波数を向上する。【解決手段】 P型シリコン基板1と、該基板1上に形成されたP型エピタキシャル層2と、該エピタキシャル層2の表面領域に選択的に形成された複数のN型拡散層3とを備え、上記P型エピタキシャル層2と該各N型拡散層3とにより、信号光を検出してその光電変換信号を出力する光検出フォトダイオード部D1,D2,D3,D5を構成し、該複数の光検出フォトダイオード部により分割フォトダイオードPDを構成した。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板と、該第1導電型半導体基板上に形成された第1導電型半導体層と、該第1導電型半導体層の表面領域に選択的に形成された複数の第2導電型半導体層とを備え、該第1導電型半導体層と、該各第2導電型半導体層とにより、信号光を検出してその光電変換信号を出力する光検出フォトダイオード部が複数構成され、該複数の光検出フォトダイオード部により分割フォトダイオードが構成されており、該第1導電型半導体層の、該分割フォトダイオードが形成されている領域とは電気的に分離された領域には、該光電変換信号を処理する信号処理回路を構成する回路素子が形成されている回路内蔵受光素子。

IPC (2件)：

H01L 27/14 ,  H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 27/14 Z ,  H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 回路内蔵受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-061873   出願人：シャープ株式会社
• 受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-162412   出願人：シャープ株式会社
• 特開平4-245476
  
• 特開平4-082268
  
• 特開平3-035559