特許
J-GLOBAL ID:200903075420630811

温度補償型圧電発振器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 均
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-045150
公開番号(公開出願番号):特開2005-236798
出願日: 2004年02月20日
公開日(公表日): 2005年09月02日
要約:
【課題】MOS容量素子の不安定領域を回避する為に、補償電圧が容量最小値の時の電位差にならないようにし、且つダイオードの順方向電圧の温度特性を補正することにより、高温時の負荷容量変動と回路の温度特性による変動を同時に抑制する。【解決手段】周波数温度補償回路1は、周囲温度によりパラメータが変化する温度検出部3と、変化したパラメータに基づいて電圧を発生する温度補償用電圧発生回路2と、温度補償用電圧(VH、VL)と基準電圧(Vref)の電位差に基づいて容量が変化するMOS容量素子MH10、ML11と、ダイオードを内蔵した差動増幅器5bとダイオード5a、5cを備え、温度補償用電圧を所定の電圧にクリップするクリップ電圧発生回路5を備え、補償電圧の出力を常温付近でクリップする事により不安定領域を回避する。又、ダイオード5a、5cの温度特性を補償する為に、増幅器5bに逆の温度特性を持たせる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
所定の周波数で励振される圧電振動子と、発振回路と、温度変化による発振周波数の変化を補償する周波数温度補償回路と、を備えた圧電発振器であって、 前記周波数温度補償回路は、周囲温度によりパラメータが変化する温度検出部と、該温度検出部により変化したパラメータに基づいて電圧を発生する温度補償用電圧発生部と、該温度補償用電圧発生部により発生された温度補償用電圧と基準電圧の電位差に基づいて容量が変化する複数のMOS容量素子と、所望の温度範囲内において前記温度補償用電圧を所定の電圧にクリップするクリップ電圧発生手段とを備えたことを特徴とする温度補償型圧電発振器。
IPC (1件):
H03B5/32
FI (1件):
H03B5/32 A
Fターム (11件):
5J079AA04 ,  5J079BA02 ,  5J079BA39 ,  5J079DA14 ,  5J079DB01 ,  5J079FA02 ,  5J079FA05 ,  5J079FA11 ,  5J079FB02 ,  5J079FB18 ,  5J079GA02
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 特願2003-287153
審査官引用 (4件)
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