特許
J-GLOBAL ID：200903075435644711
半導体レーザ装置
出願人/特許権者：
三菱電機株式会社
三菱電機株式会社 について
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-088102
公開番号（公開出願番号）：特開2000-284241
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：
【要約】【課題】 電界吸収型半導体光変調器での光の吸収量を犠牲にすることなく寄生容量を低減することによて、長距離大容量光ファイバ通信システムに適した半導体レーザ装置を得る。【解決手段】 電界吸収型半導体光変調器素子3bと電界吸収型半導体光変調器3cとを電気的に直列に接続する給電回路を備えているため、電界吸収型半導体光変調器素子によって得られる消光比を犠牲にすることなく電界吸収型半導体光変調器素子の寄生容量を低減でき、高速性および伝送特性に優れ、長距離大容量光ファイバ通信システムに適した半導体レーザ装置を得ることができる。
請求項（抜粋）：
レーザ光を出射する半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を変調する複数の電界吸収型半導体光変調器素子と、複数の前記電界吸収型半導体光変調器素子を電気的に直列に接続するための給電回路とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (23件)：
2H079AA02
, 2H079AA13
, 2H079BA01
, 2H079CA04
, 2H079EA01
, 2H079EA07
, 2H079EA08
, 2H079EB04
, 2H079GA01
, 2H079HA12
, 2H079HA14
, 2H079HA15
, 2H079KA01
, 2H079KA11
, 2H079KA20
, 5F073AB12
, 5F073AB22
, 5F073AB28
, 5F073AB30
, 5F073BA01
, 5F073EA14
, 5F073EA29
, 5F073GA24
引用特許：
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