特許

J-GLOBAL ID：200903075435644711

半導体レーザ装置

発明者： 野田 雅樹
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-088102
公開番号（公開出願番号）：特開2000-284241
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 電界吸収型半導体光変調器での光の吸収量を犠牲にすることなく寄生容量を低減することによて、長距離大容量光ファイバ通信システムに適した半導体レーザ装置を得る。【解決手段】 電界吸収型半導体光変調器素子3bと電界吸収型半導体光変調器3cとを電気的に直列に接続する給電回路を備えているため、電界吸収型半導体光変調器素子によって得られる消光比を犠牲にすることなく電界吸収型半導体光変調器素子の寄生容量を低減でき、高速性および伝送特性に優れ、長距離大容量光ファイバ通信システムに適した半導体レーザ装置を得ることができる。

請求項（抜粋）：

レーザ光を出射する半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を変調する複数の電界吸収型半導体光変調器素子と、複数の前記電界吸収型半導体光変調器素子を電気的に直列に接続するための給電回路とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

G02F 1/025 ,  H01S 5/02

FI (2件)：

G02F 1/025 ,  H01S 3/18 610

Fターム (23件)：

2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA04 ,  2H079EA01 ,  2H079EA07 ,  2H079EA08 ,  2H079EB04 ,  2H079GA01 ,  2H079HA12 ,  2H079HA14 ,  2H079HA15 ,  2H079KA01 ,  2H079KA11 ,  2H079KA20 ,  5F073AB12 ,  5F073AB22 ,  5F073AB28 ,  5F073AB30 ,  5F073BA01 ,  5F073EA14 ,  5F073EA29 ,  5F073GA24

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-354213   出願人：株式会社東芝
• 半導体レーザアレイ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-347016   出願人：日本電気株式会社
• 光パルス発生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-005139   出願人：沖電気工業株式会社
• 光スイッチ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-331285   出願人：日本電気株式会社