特許

J-GLOBAL ID：200903075437851765

半導体集積回路装置

発明者： 白井 豊
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-335876
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176156
出願日： 1997年12月05日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】 外部電源VCCの消費量を削減でき、かつ内部が複数のバンクに分割されるようなデバイスにも対応可能な内部電源降圧回路を備えた半導体集積回路装置を提供すること。【解決手段】 データを記憶するメモリ部1と、待機時用の内部電源降圧回路31および活性時用の内部電源降圧回路32を含み、内部電源Vintを外部電源VCCより生成する内部電源生成部3と、活性時用の内部電源回路32を制御する制御部4とを具備する。そして、制御部4は、メモリ部1が複数のバンクに設定されていた場合、少なくとも一つのバンクが活性状態である間、活性時用の内部電源降圧回路32を活性化させる制御回路51を有する。

請求項（抜粋）：

データを記憶する記憶部と、待機時用の内部電源回路および活性時用の内部電源回路を含み、前記記憶部に供給される内部電源を外部電源より生成する内部電源生成部と、前記活性時用の内部電源回路を制御する制御部とを具備し、前記制御部は、前記記憶部に複数のバンクが設定された時、少なくとも一つのバンクが活性状態である間、前記活性時用の内部電源回路を活性化させる制御回路を有することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

G11C 11/407 ,  G11C 11/401

FI (3件)：

G11C 11/34 354 F ,  G11C 11/34 362 S ,  G11C 11/34 362 H

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 内部電源電位発生回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-306517   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-164574   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-154861   出願人：日本電気株式会社