特許

J-GLOBAL ID：200903075484048660

メモリセル装置及びその製造方法

発明者： マノジュ・ケイ・バッタチャルヤ
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 奥山 尚一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-066411
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313377
出願日： 2001年03月09日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：

【要約】【課題】 記憶密度が高く、2を越える数の異なる抵抗値を得ることができるようなメモリセル装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 磁性材料から成る第1及び第2のデータ層410,470と、第1及び第2のデータ層410,470の間に配置された、反強磁性的に結合された一対の層430,450とをそれぞれ備える。

請求項（抜粋）：

磁性材料から成る第1及び第2のデータ層と、前記第1及び第2のデータ層の間に配置された、反強磁性的に結合された一対の層と、をそれぞれ備えることを特徴とするメモリセル装置。

IPC (5件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/08

FI (5件)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

引用特許：

審査官引用 (2件)

• スピンバルブ構造とその製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-197463   出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ, カー・イュー・ルーベン・リサーチ・アンド・ディベロップメント
• 磁気抵抗スピン・バルブ・センサおよびこのセンサを使用した磁気記録システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-206311   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション