特許
J-GLOBAL ID：200903075536695910
微小ドットマークを有する半導体基材
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野口 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-298410
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118757
出願日： 1999年10月20日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】半導体ウェハ及び半導体の製造工程における全ての加工履歴や、ウェハID、、チップID、製品番号等を知ることが可能な半導体基材を提供する【解決手段】被マーキング面の表面粗さが0.3μm以下である半導体ウェハ(W) の切断面又は研削面に、マーク中央部が被マーキング面から隆起する隆起部を有すると共に、同隆起部の被マーキング面に沿った最大長さが1〜15μm、その高さが0.01〜5μmである微小であるにも関わらず視認性に優れたドットマークが形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハの切断面又は研削面に、マーク中央部が被マーキング面から隆起する隆起部を有すると共に、同隆起部の被マーキング面に沿った最大長さが1〜15μm、その高さが0.01〜5μmであるドットマークが形成されてなることを特徴とする半導体基材。
引用特許：
前のページに戻る
