特許

J-GLOBAL ID：200903075543687443

基板処理方法、コンピュータ可読記録媒体、基板処理装置、および基板処理システム

発明者： 有賀 美輝 ,  山▲崎▼ 和良 ,  青山 真太郎 ,  下村 晃司
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-128564
公開番号（公開出願番号）：特開2007-300027
出願日： 2006年05月02日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：

【課題】窒化処理された高誘電体膜からの窒素原子の脱離を抑制する。【解決手段】高誘電体膜の窒化処理後、30秒以内に熱処理を行う。また枚様式処理装置において、被処理基板が窒化処理後、30秒にないに熱処理されるように、被処理基板の搬送を制御する。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

高誘電体膜に窒素原子を導入する第1の処理位置と、前記高誘電体膜を熱処理する第2の処理位置とを備えた枚葉式基板処理装置において、複数の被処理基板を一枚ずつ、前記第1および第2の処理位置に順次搬送し、前記被処理基板上の高誘電体膜に対して前記窒素原子導入処理および前記熱処理を順次行う基板処理方法であって、 前記被処理基板は前記第1の処理位置での処理の後、前記第2の処理位置において、30秒以内に処理を開始されることを特徴とする基板処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L21/316 X ,  H01L21/31 B ,  H01L29/78 301G

Fターム (35件)：

5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045BB16 ,  5F045DA53 ,  5F045DC51 ,  5F045DC63 ,  5F045DP02 ,  5F045EB08 ,  5F045HA25 ,  5F058BD01 ,  5F058BD05 ,  5F058BD06 ,  5F058BD12 ,  5F058BD13 ,  5F058BE01 ,  5F058BE05 ,  5F058BF06 ,  5F058BF25 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF54 ,  5F058BF74 ,  5F058BG03 ,  5F058BG04 ,  5F058BH01 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01 ,  5F140BA01 ,  5F140BD04 ,  5F140BE08 ,  5F140BE10 ,  5F140BE16

引用特許：

出願人引用 (1件)

• WO03/049173号国際公開公報
  

審査官引用 (2件)

• 絶縁膜を有した半導体装置の製造方法及び半導体装置。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-214954   出願人：国立大学法人名古屋大学
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-408813   出願人：NECエレクトロニクス株式会社