絶縁膜を有した半導体装置の製造方法及び半導体装置。

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-214954
公開番号（公開出願番号）：特開2006-040977
出願日： 2004年07月22日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：

【課題】MOS 型FET における絶縁膜のCET (等価SiO2換算膜厚) を低下させ、リーク電流を低減させること。【解決手段】Si基板の表面を窒素ラジカルによりラジカル窒化する。次に、表面がラジカル窒化されたSi基板の上に高誘電率膜としてHfO2を形成する。次に、少なくとも高誘電率膜を窒素ラジカルによりラジカル窒化する。窒化の後に高誘電率膜の形成された半導体を酸素雰囲気において熱処理(RT0) する。Si基板のラジカル窒化と、HfO2膜のラジカル窒化とにより、RTO 処理した後の絶縁膜は、両ラジカル窒化を用いないで、Si基板にHfO2膜を形成してRTO 処理した絶縁膜に比べて、低いCET と、低いリーク電流が実現できた。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体上に絶縁膜とその絶縁膜上に形成された電極とを有する半導体装置の製造方法において、前記半導体の表面を窒素ラジカルによりラジカル窒化する第1のラジカル窒化工程と、表面がラジカル窒化された前記半導体の上に高誘電率膜を形成する高誘電率膜形成工程と、少なくとも前記高誘電率膜を窒素ラジカルによりラジカル窒化する第2のラジカル窒化工程と、窒化の後に前記高誘電率膜の形成された前記半導体を酸素雰囲気において熱処理する熱処理工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/318 , H01L 29/78

FI (2件)：

H01L21/318 C , H01L29/78 301G

Fターム (25件)：

5F058BA20 , 5F058BD02 , 5F058BD05 , 5F058BD10 , 5F058BF74 , 5F058BH03 , 5F058BJ01 , 5F140AA00 , 5F140AA24 , 5F140AC39 , 5F140BA01 , 5F140BA06 , 5F140BA07 , 5F140BA09 , 5F140BD01 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BE17 , 5F140BE19 , 5F140BF01 , 5F140BF05

引用特許：

審査官引用 (1件)

絶縁膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-360807 出願人：東京エレクトロン株式会社

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