特許
J-GLOBAL ID：200903003798369550

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
長谷川 英司

長谷川 英司 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 徳丸 達雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-408813
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253777
出願日： 2003年12月08日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：
【課題】窒素の再分布によるシリコン基板界面への窒素の拡散を低減し、更にはトランジスタの高速化を妨げるポリシリコン界面への拡散を抑制して、高速デバイスを実現するMOS型トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1上に酸化膜2を形成し、その後この酸化膜に窒素を導入し、さらに酸素を含むガス雰囲気中で酸化膜を熱処理する酸化熱処理工程dとを含む半導体装置の製造方法において、酸化熱処理工程dの熱処理温度が、その熱処理工程d以降の全ての工程での温度より高いことを特徴とする。酸化膜2に導入する窒化処理cの後に、その後に行なわれる全熱処理fよりも高温の条件で、しかも膜厚や昇華を抑制する雰囲気を選択した酸化性の雰囲気で熱処理することによって、事前に格子間や過剰な窒素を再分布・脱離させる。【効果】シリコン基板の窒化やポリシリコン電極の窒化を抑制することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に酸化膜を形成する工程と、 前記酸化膜に窒素を導入する工程と、 酸素を含むガス雰囲気中で前記酸化膜を熱処理する酸化熱処理工程とを含む半導体装置の製造方法において、 前記酸化熱処理工程の熱処理温度が、その熱処理工程以降の全ての工程での温度より高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L21/318 ,  H01L29/78
FI (2件)：
H01L21/318 C ,  H01L29/78 301G
Fターム (23件)：
5F058BA05 ,  5F058BC11 ,  5F058BF56 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BJ04 ,  5F140AA00 ,  5F140AA01 ,  5F140AA28 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA03 ,  5F140BA13 ,  5F140BD09 ,  5F140BE02 ,  5F140BE06 ,  5F140BE07 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG44 ,  5F140BK21 ,  5F140CE10
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (9件)
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