アライメントマークの構造およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤幸男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-127337
公開番号（公開出願番号）：特開2001-307999
出願日： 2000年04月27日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】明瞭なアライメントマーク像を得ることのできるアライメント技術を提供する。【解決手段】アライメントマークの明瞭な光学的観察の妨げとなるエピタキシャル層がアライメントマーク領域12に堆積することを防止するための保護層23aでアライメントマーク構造を含むアライメントマーク領域12を覆う。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の該基板上に順次積層される電気回路部分を除く領域に形成され、ホトリソグラフィ技術を用いたパターニングに際して光学的に測定可能の段部からなるアライメントマークであって、前記電気回路部分への半導体材料からなるエピタキシャル層の選択的な成長に先立って前記段部および該段部と材質を異にする該段部の周辺部のいずれか一方への前記エピタキシャル層の選択的な成長を阻止するための透光性を有する保護層が少なくとも前記段部および前記周辺部を覆って形成されていることを特徴とするアライメントマークの構造。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/205 , H01L 21/30 520 B

Fターム (12件)：

5F045AB02 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AF03 , 5F045AF20 , 5F045DB02 , 5F045HA12 , 5F046EA13 , 5F046EA16 , 5F046EA19 , 5F046EA20 , 5F046ED02

引用特許：

審査官引用 (15件)

特開平1-305519
特開平1-305519
特開平2-262321

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