特許

J-GLOBAL ID：200903075559774559

半導体素子

発明者： 牧原 克典 ,  宮崎 誠一 ,  東 清一郎 ,  村上 秀樹
出願人/特許権者： 国立大学法人広島大学
代理人 (1件)： 松山 隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-131078
公開番号（公開出願番号）：特開2008-288346
出願日： 2007年05月16日
公開日（公表日）： 2008年11月27日
要約：

【課題】フローティングゲート構造を有し、駆動電圧を低減可能な半導体素子を提供する。【解決手段】半導体素子10は、n型Siからなる基板1上に形成したSiO2層4上に、電荷蓄積層5,6を順次積層したフローティングゲート構造からなる。電荷蓄積層5は、アンドープのSiからなる量子ドット51a〜51cと、それを被覆する酸化層52とからなる。電荷蓄積層6は、n+Siからなる量子ドット61a〜61cと、それを被覆する酸化層62とからなる。そして、量子ドット61a〜61c中に元来的に存在する電子は、パッド12,13からゲート電極9に印加される電圧に応じて、トンネル接合を介して量子ドット61a〜61cと量子ドット51a〜51cとの間を移動し、量子ドット51a〜51cおよび/または量子ドット61a〜61c中に分布する。この分布状態は、電流ISDによって検出される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

フローティングゲート構造を有する半導体素子であって、 各々が量子ドットを含み、基板上に積層された複数の電荷蓄積層と、 前記複数の電荷蓄積層に電圧を印加するゲート電極とを備え、 前記複数の電荷蓄積層のうちの1つの電荷蓄積層に含まれる量子ドットは、キャリア濃度が他の電荷蓄積層に含まれる量子ドットよりも高く、 隣接する2つの電荷蓄積層に含まれる2つの量子ドットは、トンネル接合される、半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 21/824 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434

Fターム (32件)：

5F083EP17 ,  5F083EP22 ,  5F083EP30 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083ER03 ,  5F083ER14 ,  5F083ER21 ,  5F083GA05 ,  5F083GA30 ,  5F083JA31 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR05 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083ZA30 ,  5F101BA54 ,  5F101BB02 ,  5F101BB08 ,  5F101BB17 ,  5F101BC01 ,  5F101BC20 ,  5F101BD07 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BG10 ,  5F101BH02 ,  5F101BH13 ,  5F101BH16

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 情報処理構造体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-131633   出願人：科学技術振興事業団