情報処理構造体

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平山一幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-131633
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313386
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：

【要約】【課題】単電子動作により、高速で安定した動作が得られるようにした単電子回路による情報処理構造体を提供する。【解決手段】微細なMOSFET11のゲート電極12の直上にて、ナノメータスケールの大きさの複数個の量子ドット13を形成し、各量子ドットとゲート電極との間に電子が直接トンネルできるエネルギー障壁を構成し、各量子ドットとゲート電極の間で移動した電子の総数により情報を表わす情報処理構造体であって、各量子ドットに接触して、各量子ドット13と電源電極14との間に電子が直接トンネルできるエネルギー障壁を構成するように電源となる一つの電源電極14を設け、同様に各量子ドットに接触して、各量子ドットと各情報電極とが容量結合されるように二つの情報電極15を設け、情報電極で決定される電位に応じて、クーロンブロッケード現象により電子が各量子ドットを通して、電源電極とゲート電極の間を移動するように構成する。

請求項（抜粋）：

MOSFETのゲート電極の直上に複数個のナノメータスケールの微小導電体または微小半導体から成る量子ドットが設置され、この量子ドットと上記ゲート電極との間に、電子または正孔から成る電荷担体が直接トンネルできるエネルギー障壁が形成されており、上記量子ドットと上記ゲート電極の間で移動した電荷担体の総数により情報を表わすようにした情報処理構造体であって、上記量子ドットに接して、1個の電源電極及び情報を入力する少なくとも2個の情報電極を有し、上記量子ドットと上記電源電極の間には電荷担体が直接トンネルできるエネルギー障壁が形成されており、上記量子ドットと上記情報電極の間は電荷担体が移動できない容量結合で結合されており、上記情報電極で決定される電位に応じて、クーロンブロッケード現象により電荷担体が上記量子ドットを通して、上記電源電極と上記ゲート電極の間を移動することを特徴とする、情報処理構造体。

IPC (7件)：

H01L 29/66 , H01L 27/10 451 , H01L 29/06 , H01L 29/78 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 29/66 , H01L 27/10 451 , H01L 29/06 , H01L 29/78 301 J , H01L 29/78 371

Fターム (8件)：

5F001AA10 , 5F001AF06 , 5F040DC01 , 5F040EA00 , 5F040EA09 , 5F040EB11 , 5F083FZ01 , 5F083GA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-158957 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (1件)

半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-158957 出願人：株式会社東芝

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