3族窒化物半導体発光素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-057480
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158893
出願日： 2004年03月02日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：

【課題】高輝度の青色から緑色の発光を得ると共に3族窒化物半導体だけで、各種の色の発光を得るようにすること。【解決手段】発光ダイオード500はサファイア基板1、バッファ層2、高キャリア濃度n+ 層3、SiドープのAl0.3Ga0.7N から成るn層4、発光層5、MgドープのAl0.3Ga0.7N から成るp層61、MgドープのGaN から成るコンタクト層62、Niから成る電極7、電極8で構成されている。発光層5は、膜厚約100 ÅのAl0.25Ga0.75N から成る6層のバリア層51と膜厚約100 ÅのAl0.2Ga0.8N から成る5層の井戸層52とが交互に積層された多重量子井戸構造である。井戸層52には、亜鉛とシリコンが、それぞれ、5 ×1018/cm3の濃度に添加されている。このような紫外線を発光する発光層5と、発光層5の放射する紫外線を受光して、電極7の上に可視光に変換する蛍光体層208とを設けた。【選択図】図11

請求項（抜粋）：

発光層に3族窒化物半導体を用いた発光素子において、紫外線を発光する発光層と、前記発光層の放射する前記紫外線を受光して、可視光に変換する蛍光体層とを設け、前記発光層は、GaY1In1-Y1Nから成る井戸層とこの井戸層よりも禁制帯幅の広いAlx2GaY2In1-X2-Y2N から成るバリア層とを少なくとも1層以上交互に積層させた量子井戸で構成されたことを特徴とする発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (2件)：

H01L33/00 C , H01L33/00 N

Fターム (10件)：

5F041AA03 , 5F041AA06 , 5F041AA11 , 5F041CA05 , 5F041CA13 , 5F041CA40 , 5F041DA04 , 5F041DA09 , 5F041EE17 , 5F041EE25

引用特許：

審査官引用 (8件)

量子井戸型半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-314770 出願人：旭化成工業株式会社
特開平2-091980
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-070874 出願人：日亜化学工業株式会社

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