化学的機械研磨方法及び化学的機械研磨装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：松浦憲三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-142632
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332274
出願日： 2002年05月17日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：

【要約】【課題】研磨中にウエーハ表面が酸化されて電気伝導率が変化し、それが研磨レートの変化につながることを防止する、電解研磨を付加した化学的機械研磨方法及びその装置を提供すること。【解決手段】研磨手段(研磨部)16を大気とは別組成の雰囲気のチャンバ13内に密閉収容し、研磨手段(研磨部)16の雰囲気を大気とは異なる組成の雰囲気にすると共に、ウエーハWと研磨パッド34aとの間に電圧を印加して、電解作用を行わせながら前記ウエーハWを研磨するように構成した。これにより研磨手段(研磨部)16は酸素が極度に少ない雰囲気となり、ウエーハWの表面が酸化されず研磨レートが安定するようにした。

請求項（抜粋）：

スラリを供給しながら、表面に導電性膜が形成されたウエーハを研磨パッドに押付けて、該表面を平坦化する化学的機械研磨方法において、研磨部の雰囲気を大気とは異なる組成の雰囲気にすると共に、前記ウエーハと前記研磨パッドとの間に電圧を印加して、電解作用を行わせながら前記ウエーハを研磨することを特徴とする化学的機械研磨方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 621 , H01L 21/304 , B24B 37/00

FI (3件)：

H01L 21/304 621 Z , H01L 21/304 621 D , B24B 37/00 Z

Fターム (3件)：

3C058AA07 , 3C058CA01 , 3C058DA12

引用特許：

審査官引用 (8件)

ウェーハの研削方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-003622 出願人：株式会社ディスコ
研磨装置および研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-115687 出願人：ソニー株式会社
半導体製造装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-312834 出願人：ソニー株式会社

全件表示

前のページに戻る