特許

J-GLOBAL ID：200903075571253246

振動ジャイロセンサ素子の製造方法

発明者： 鈴木 浩二 ,  稲熊 輝往 ,  中塩 栄治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (3件)： 小池 晃 ,  田村 榮一 ,  伊賀 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-106716
公開番号（公開出願番号）：特開2006-242931
出願日： 2005年03月04日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：

【課題】 振動型ジャイロセンサにおける圧電体薄膜と上層電極膜の剥離を抑制する。【解決手段】 表面に駆動電極106aと検出電極106b,106cが形成された圧電振動体からなる片持ち梁形状の振動子110を備える振動型ジャイロセンサ素子100の上記振動子110を薄膜プロセスで形成し、下部電極、圧電層、上層電極パターン形成後の再結晶化熱処理を、圧電体薄膜成膜時の熱処理温度より50°C以上低温で行う。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

梁形状をなす基体となる基板上に下部電極膜、圧電材料、上層電極膜を形成してなる片持ち梁形状の振動子からなる振動型ジャイロセンサ素子の製造方法であって、 下部電極、圧電材料、上層電極パターン形成後の再結晶化熱処理を圧電体薄膜成膜時の熱処理温度より50°C以上低温で行う再結晶化熱処理工程を有することを特徴とする振動型ジャイロセンサ素子の製造方法。

IPC (5件)：

G01C 19/56 ,  G01P 9/04 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/18

FI (5件)：

G01C19/56 ,  G01P9/04 ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/08 Z ,  H01L41/18 101Z

Fターム (7件)：

2F105AA08 ,  2F105BB12 ,  2F105BB13 ,  2F105BB14 ,  2F105CC04 ,  2F105CD02 ,  2F105CD06

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 振動子の支持構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-138304   出願人：株式会社村田製作所
• 角速度センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-308973   出願人：ソニー株式会社