半導体集積回路装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-007150
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195081
出願日： 1995年01月20日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】【目的】内部電源電位が外部電源電位よりも低下することで発生する問題、並びにスタンドバイ状態で内部降圧電位が上昇して発生する問題を回避できる半導体集積回路装置を提供することを目的としている。【構成】Nチャネル型MOSトランジスタのソースフォロワタイプの降圧回路を備え、外部から与えられた電源電位を降圧して内部回路の電源として用いる半導体集積回路装置において、インバータ型の入力バッファ13,16,20に外部から与えられた電源電位VCCを降圧して生成した電位VEEを電源として与える専用のPチャネル型MOSトランジスタフィードバックタイプの降圧回路を設けたことを特徴としている。負荷電流が極めて少ないインバータ型の入力バッファに専用の降圧回路を設けたので、フィードバックタイプの降圧回路の欠点が現れることなく安定な動作が実現できる。

請求項（抜粋）：

Nチャネル型MOSトランジスタのソースフォロワタイプの降圧回路を備え、外部から与えられた電源電圧を降圧して内部回路の少なくとも一部の電源として用いる半導体集積回路装置において、インバータ型の入力バッファに外部から与えられた電源電圧を降圧して生成した電位を電源として与える専用のPチャネル型MOSトランジスタのフィードバックタイプの降圧回路を設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

G11C 11/407 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

G11C 11/34 354 F , H01L 27/04 B

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平4-285791
特開昭61-150365
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-139430 出願人：株式会社東芝

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