特許

J-GLOBAL ID：200903075589252123

熱処理方法、熱処理装置および基板処理装置

発明者： 中島 敏博 ,  川瀬 恵理也
出願人/特許権者： 大日本スクリーン製造株式会社
代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-430076
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191239
出願日： 2003年12月25日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：

【課題】加熱処理直後にリフトピンによって上昇された基板の面内温度分布の均一性を向上することができる熱処理技術を提供する。【解決手段】ホットプレート70による基板Wの加熱処理が終了するとリフトピン71およびチャンバ73が上昇し、基板Wがリフトピン71によって持ち上げられる。このときに、ガスノズル76から大流量にて窒素ガスが噴出される。窒素ガスは整流板80の孔80aから下向きに吐出され、リフトピン71に支持されている加熱処理直後の基板Wの表面に吹き付けられる。これにより、加熱後の基板Wの周辺にて発生する自然対流が抑制され、基板Wの中心部と周縁部とでの降温レートの差が小さくなる。その結果、加熱処理直後にリフトピン71によって上昇された基板Wの面内温度分布の均一性を向上することができる。【選択図】図14

請求項（抜粋）：

ホットプレート上に基板を載置して該基板を加熱処理する熱処理方法であって、 前記ホットプレートを貫通して昇降自在なリフトピンを上昇させ、前記リフトピンの上端を前記ホットプレートの載置面よりも突出させる工程と、 前記リフトピン上に基板を載置する工程と、 前記リフトピンを下降させて、前記リフトピンの上端を前記載置面よりも下方に位置させることによって前記基板を前記載置面に載置する工程と、 前記ホットプレートによって前記基板を加熱する工程と、 前記載置面に載置されて加熱されている前記基板に第1の流量にてガスを吹き付ける工程と、 前記リフトピンを上昇させることによって加熱された前記基板を前記載置面から離間させる工程と、 上昇した前記リフトピン上に支持されている加熱後の前記基板に前記第1の流量よりも大きい第2の流量にてガスを吹き付ける工程と、 を備えることを特徴とする熱処理方法。

IPC (1件)：

H01L21/027

FI (1件)：

H01L21/30 567

Fターム (2件)：

5F046KA04 ,  5F046KA05

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 基板の熱処理方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-302060   出願人：大日本スクリーン製造株式会社
• 基板熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-188734   出願人：大日本スクリーン製造株式会社