特許
J-GLOBAL ID：200903075598820576
非晶質シリコン膜及びそれを用いた太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤田 龍太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-100574
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284214
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】 膜質の優れたワイドギャップの非晶質シリコン膜及びこれを用いた特性の優れた太陽電池を提供する。【解決手段】 非晶質シリコン膜を、光学的バンドギャップが1.7eV以上、水素濃度が30%以上、Si-H2 結合量が50%以下であって、ワイドギャップ化添加元素の濃度が1%未満の膜とし、この膜を太陽電池の光入射面側ドープ層又は発電層とする。
請求項（抜粋）：
光学的バンドギャップが1.7eV以上、水素濃度が30%以上、Si-H2 結合量が50%以下であって、ワイドギャップ化添加元素の濃度が1%未満であることを特徴とする非晶質シリコン膜。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 B
, H01L 21/205
