SiCエピタキシャルウエーハおよびそれを用いた半導体デバイス

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： , , ,
代理人 (2件)：上代哲司 , 神野直美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-328993
公開番号（公開出願番号）：特開2007-131504
出願日： 2005年11月14日
公開日（公表日）： 2007年05月31日
要約：

【課題】優れた性能を有するSiC単結晶とそのエピタキシャル成長方法を提供する。かかるSiCエピタキシャル単結晶を用いて作製された、ウエーハと半導体デバイスを提供する。【解決手段】SiC基板の面を、(0001)面から5.74度±1度以内または2.86度±0.7度以内のオフ角に設定して、前記SiCの基板上にSiCの結晶をエピタキシャル成長させる工程を有しているSiCエピタキシャルウエーハの製造方法。前記オフ角が、(0001)面から5.74度±0.5度以内または2.86度±0.5度以内であるSiCエピタキシャルウエーハの製造方法。前記オフ角が、(0001)面から5.74度±0.3度以内または2.86度±0.3度以内であるSiCエピタキシャルウエーハの製造方法。SiC基板が、SiC基板上に改良レーリー法により堆積されたSiC結晶から作製されたものであるSiCエピタキシャルウエーハの製造方法。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

SiC基板の面を、(0001)面から5.74度±1度以内のオフ角に設定して、前記SiC基板上にSiCの結晶をエピタキシャル成長させる工程を有していることを特徴とするSiCエピタキシャルウエーハの製造方法。

IPC (5件)：

C30B 29/36 , C30B 25/20 , C23C 16/42 , C23C 16/32 , H01L 21/205

FI (5件)：

C30B29/36 A , C30B25/20 , C23C16/42 , C23C16/32 , H01L21/205

Fターム (33件)：

4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077DB01 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EF03 , 4G077HA06 , 4G077TC14 , 4G077TK01 , 4G077TK04 , 4K030AA06 , 4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030AA20 , 4K030BA37 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA05 , 4K030DA01 , 4K030FA10 , 4K030JA10 , 5F045AA03 , 5F045AB06 , 5F045AC00 , 5F045AC01 , 5F045AC15 , 5F045AD18 , 5F045AF02 , 5F045BB16 , 5F045CA01 , 5F045CA05 , 5F045DA62

引用特許：

出願人引用 (3件)

特公昭59-48792号公報
米国特許第5011549号
特許第2804860号公報

審査官引用 (1件)

SiCウエハ、SiC半導体デバイス、および、SiCウエハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-127471 出願人：松波弘之, 木本恒暢, 株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

Surface morphological structures of 4H-, 6H- and 15R-SiC(0001) epitaxyial layers grown by chemical v

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