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J-GLOBAL ID：200902185045312250   整理番号：01A0700172

化学気相蒸着により成長させた4H-と6H-と15R-SiC(0001)エピタクシー層の表面形態構造

Surface Morphological Structures of 4H-,6H- and 15R-SiC(0001) Epitaxial Layers Grown by Chemical Vapor Deposition.

著者 (6件)： KIMOTO T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  CHEN Z Y (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  TAMURA S (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NAKAMURA S (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  ONOJIMA N (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MATSUNAMI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40  号： 5A  ページ： 3315-3319  発行年： 2001年05月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-,6H-および15R-SiC(0001)基板上にSiC...

シソーラス用語： *化学蒸着 ,...
準シソーラス用語： ステップ集束

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

引用文献 (23件)：

• 1) Fundamental Questions and Applications of SiC, Part I and II, eds. W. J. Choyke, H. Matsunami and G. Pensl (Akademie Verlag, Berlin, 1997).
• 2) Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Part I and II, eds. G. Pensl, H. Morkoc, B. Monemar and E. Janzen (Trans Tech Publications, Zuerich, 1998).
• 3) A. R. Verma and P. Krishna: Polymorphism and Polytypism in Crystals (Wiley, New York, 1966).
• 4) M. Bhatnagar and B. J. Baliga: IEEE Trans. Electron Devices 40 (1993) 645.
• 5) J. W. Palmour, J. A. Edmond, H. S. Kong and C. H. Carter, Jr.: Physica B 185 (1993) 461.

タイトルに関連する用語 (6件)： 化学 ,  気相蒸着 ,  成長 ,  SiC ,  エピタクシー層 ,  表面形態