特許
J-GLOBAL ID：200903075620874995
光電変換装置の製造方法及び該方法により製造された光電変換装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-140895
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332270
出願日： 1999年05月21日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】 フォドリソグラフィーなどの高コストの工程の使用回数が少なく、Siの消費量も少なくなり、更に基板の再利用が可能な光電変換装置の製造方法を提供する。【解決手段】 分離により残存した分離層29を有する半導体基板3に異方性エッチングにより予め凹凸形状を形成し、半導体基板3を陽極化成することによって、半導体基板3上にその凹凸形状を維持した多孔質半導体層29を設け、多孔質半導体層29上に半導体薄膜24〜26を形成し、半導体薄膜24〜26を半導体基板3から多孔質半導体層29で分離する光電変換装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
基板に予め凹凸形状を形成し、前記基板上に前記基板の凹凸形状を維持した分離層を設け、前記分離層上に前記凹凸形状を維持した半導体薄膜を成長させ、前記半導体薄膜を前記基板から前記分離層で分離する光電変換装置の製造方法であって、前記基板に凹凸形状を形成するため、分離により残存した分離層を有する基板を異方性エッチングすることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
Fターム (4件)：
5F051CB11
, 5F051CB21
, 5F051DA01
, 5F051GA14
