特許
J-GLOBAL ID：200903075637581193
埋込型半導体レーザ素子の製造方法、及び埋込型半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-360940
公開番号（公開出願番号）：特開2002-232082
出願日： 2001年11月27日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：
【要約】【課題】 n型基板上に埋込型半導体レーザ素子を作製する際、電流狭窄構造に形状欠陥が生じたり、無効電流経路幅を再現性よく制御することが困難であったりするために、無効電流が増大し、電流電圧特性の線形性が悪かった。そこで、電流狭窄構造の形状欠陥の発生を防止し、無効電流経路幅を再現性良く制御できる、埋込型半導体レーザ素子の製造方法を提供する。【解決手段】 n型基板上に歪量子井戸埋込型半導体レーザを作製する際、無効電流経路幅Tnは、p型電流ブロック層成膜時のIII族元素原料ガスに対するV族元素原料ガスのモル比率により制御され、モル比率は60〜350である。
請求項（抜粋）：
n型半導体基板上に、下部クラッド層、活性層、及び上部クラッド層を有するメサ構造を形成した後、該メサ構造の側面及び該側面と連続しているメサ構造裾部の上面にp型電流ブロック層及びn型電流ブロック層を有機金属気相成長方法により成長させて電流狭窄構造を形成する、埋込型半導体レーザ素子の製造方法において、前記p型電流ブロック層を成膜する際のIII 族元素原料ガスに対するV族元素原料ガスのモル比率が60以上350以下の範囲であることを特徴とする埋込型半導体レーザ素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (8件)：
5F073AA22
, 5F073AA26
, 5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073CA12
, 5F073DA05
, 5F073DA35
, 5F073EA23
