特許
J-GLOBAL ID：200903075652455390
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-102677
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032085
出願日： 1995年04月26日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 気相からの堆積法を用いるCVD法等に比べ容易かつ確実にシリコン薄膜を形成しうる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【構成】 基板上に液体状の水素化珪素を塗布した後、昇温過程を含む熱履歴を経させ、塗布膜内で分解反応させ、基板上にシリコン膜を形成することにより薄膜トランジスタを製造する。または、薄膜トランジスタのシリコン膜形成工程における基板上に液体状の水素化珪素を塗布した後、原子状の水素を基板上に導入しながら昇温過程を含む熱履歴を経させ、塗布膜内で分解反応させ、基板上にシリコン膜を形成することにより薄膜トランジスタを製造する。
請求項（抜粋）：
基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、チャネル半導体膜としてのシリコン薄膜、ソース電極、及びドレイン電極を有して構成される薄膜トランジスタの製造方法において、前記チャネル半導体膜としてのシリコン薄膜を、前記基板上にSim H2m+2あるいはSin H2n(ただし、m、nはm≧5、n≧4であるような整数)を含有する液体状の水素化珪素を塗布した後、昇温過程を含む熱履歴を経させ、塗布膜内で分解反応させることにより形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (7件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, C23C 16/44
, C23C 18/12
, C30B 29/06 501
, G02F 1/136 500
, H01L 21/205
