特許

J-GLOBAL ID：200903075654218817

ポジ型レジスト膜形成用塗布液

発明者： 佐藤 和史 ,  新田 和行 ,  山崎 晃義 ,  坂井 与日 ,  中山 寿昌
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-172899
公開番号（公開出願番号）：特開平9-006001
出願日： 1995年06月15日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【構成】 基本成分として、(A)放射線の照射により酸を発生する成分、(B)酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解度が増大する樹脂成分及び(C)アミン成分を含有する有機溶剤溶液に、(D)有機カルボン酸を添加してなるポジ型レジスト膜形成用塗布液である。【効果】 化学増幅型であって、引置経時安定性の良好なレジストパターンを与えることができる上、高解像性及び高感度を有しており、超LSIの製造における微細加工などに好適に用いられる。

請求項（抜粋）：

基本成分として、(A)放射線の照射により酸を発生する成分、(B)酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解度が増大する樹脂成分及び(C)アミン成分を含有する有機溶剤溶液に、(D)有機カルボン酸を添加してなるポジ型レジスト膜形成用塗布液。

IPC (4件)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (5件)

• パターン形成用レジストおよびパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-100310   出願人：株式会社東芝
• レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-312670   出願人：日本ゼオン株式会社
• 感放射線性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-073169   出願人：日本合成ゴム株式会社
• レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-312669   出願人：日本ゼオン株式会社
• 感放射線性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-148742   出願人：日本合成ゴム株式会社