Mgドープ窒化物系III-V族化合物半導体結晶の成長方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内田明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-171972
公開番号（公開出願番号）：特開平10-017400
出願日： 1996年07月02日
公開日（公表日）： 1998年01月20日
要約：

【要約】【課題】窒化物系のIII-V族化合物半導体結晶をホットウォール法でエピタキシャル気相成長させるときに、Mg化合物を熱分解させることなく、基板上に確実に供給して、所定量のMgのドーピングを可能にした気相成長方法を提供しようとするものである。【解決手段】 V族原料としてアンモニア又はヒドラジンを、III 族原料としてIII 族元素の塩化物を、Mg原料としてMg有機化合物を用い、ホットウォール法の反応管内の基板上に供給することを特徴とするMgドープIII-V族化合物半導体結晶の成長方法である。

請求項（抜粋）：

Mgをドープした窒化物系III-V族化合物半導体結晶のエピタキシャル気相成長方法において、V族原料として、アンモニア又はヒドラジンを、III 族原料として、III 族元素有機化合物と塩化水素若しくは塩素ガスとの混合ガス、又は、III 族元素のハロゲン化物ガスを用い、Mg原料として、Mg有機化合物ガスを用いて、ホットウォール法の反応管内の基板上に前記ガスを供給することを特徴とするMgドープIII-V族化合物半導体結晶の成長方法。

IPC (3件)：

C30B 29/40 502 , C30B 25/14 , H01L 21/205

FI (3件)：

C30B 29/40 502 B , C30B 25/14 , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開昭50-134999
特開平2-065124
特開平2-203519

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引用文献：

審査官引用 (1件)

OMVPE法による高濃度pタイプGaAsの成長

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