複数のチャネルデバイス構造を備えたマルチ動作モードトランジスタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：鈴木正剛 , 佐野良太 , 村松義人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-543310
公開番号（公開出願番号）：特表2009-517886
出願日： 2006年11月15日
公開日（公表日）： 2009年04月30日
要約：

それぞれ異なる動作特性を有する複数のチャネル(15)が用いられたマルチ動作モードトランジスタが提供される。複数のチャネル(15)は独立に調整可能なしきい値電圧を有する。しきい値電圧を独立に調整することにおいて、少なくとも1つの以下のもの、つまり、異なるチャネル(15)にそれぞれ異なるドーピング濃度、チャネル(15)を分離している異なるゲート誘電体(14a〜14c)にそれぞれ異なるゲート誘電体厚、および、異なるチャネル(15)に異なるそれぞれのシリコンチャネル厚、が供給される。

請求項（抜粋）：

複数のチャネル15を形成するステップと、前記複数のチャネル15上にゲート電極16を形成するステップと、各チャネル15のしきい値電圧を独立に調整するステップと、を含む半導体デバイスの形成法。

IPC (6件)：

H01L 29/78 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 29/417

FI (5件)：

H01L29/78 301X , H01L29/78 301H , H01L27/08 102E , H01L29/58 G , H01L29/50 M

Fターム (59件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104EE03 , 4M104EE08 , 4M104EE09 , 4M104FF04 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F048AC01 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BB02 , 5F048BB06 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB14 , 5F048BB16 , 5F048BB18 , 5F048BC01 , 5F048BC06 , 5F048BD09 , 5F048BF03 , 5F048BF16 , 5F048CB08 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30 , 5F140AA06 , 5F140AB04 , 5F140AB05 , 5F140AC36 , 5F140BA05 , 5F140BA13 , 5F140BB01 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF08 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG15 , 5F140BG49 , 5F140BG53 , 5F140BH06 , 5F140BH14 , 5F140BH28 , 5F140BK02 , 5F140BK11 , 5F140BK13 , 5F140BK17

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-223880 出願人：日本鋼管株式会社
特開平4-044273
半導体装置、半導体集積装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-133052 出願人：松下電器産業株式会社

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