半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-099688
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307489
出願日： 1994年05月13日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：

【要約】【目的】発光素子の側面からの不要な光を外部へ取り出させないようにして、単色性を向上させた半導体発光素子及びその製造方法を提供することである。【構成】半導体基板上に少なくともInGaAlPの発光層を積層する第1の工程と、前記発光層の側面が該発光層の下層側へ広がる傾斜構造となるように、前記発光層の側面側をエッチングする第2の工程とを行う。そして、前記発光層の側面の傾斜構造は、前記発光層の上面又は下面と該発光層の側面とのなす角度が62°以下として形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に積層されたInGaAlPの発光層を有する半導体発光素子において、前記発光層の側面を、該発光層の下層側へ広がる傾斜構造としたことを特徴とする半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (13件)

発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-298355 出願人：大同特殊鋼株式会社
光半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-181039 出願人：シャープ株式会社
特開平4-273174

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