ウェハ処理装置およびウェハ処理方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：机昌彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-303299
公開番号（公開出願番号）：特開2003-203900
出願日： 1999年03月15日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：

【要約】【課題】ウェハのエッジに付着した金属膜、汚染金属を除去または洗浄する装置を提供する。【解決手段】ウェハ10を回転しつつ保持するウェハ保持機構と、ウェハ表面中央に純水を供給する表面ノズル14と、ウェハ表面周辺にエッチング液または洗浄液を供給するエッジノズル18と、ウェハ裏面中央にエッチング液または洗浄液を供給する裏面ノズル16とを備えている。表面ノズル14とエッジノズル18とはウエハ表面側に存在し、それぞれ異なる薬液を噴出する。裏面ノズル16から噴出された液は、エッジノズル18から噴出された液が裏面に回り込むことを防止する。

請求項（抜粋）：

ウェハ上の不所望な金属膜をエッチング除去するウェハ処理装置において、ウェハを保持して回転させる手段と、デバイス形成領域内に形成された膜と反応しない第1の液体をウェハ表面中央に噴出する表面ノズルと、デバイス形成領域外のウェハ表面周辺に存在する不所望な金属膜を除去するための第2の液体をウェハ表面周辺に噴出する1つ以上のエッジノズルとを備え、前記表面ノズルと前記エッジノズルとは、ウェハ表面側に設けられたことを特徴とするウェハ処理装置。

IPC (7件)：

H01L 21/306 , B05C 11/08 , B05C 11/10 , B05D 1/40 , B05D 3/10 , B05D 7/00 , H01L 21/304 643

FI (7件)：

B05C 11/08 , B05C 11/10 , B05D 1/40 A , B05D 3/10 C , B05D 7/00 H , H01L 21/304 643 A , H01L 21/306 J

Fターム (26件)：

4D075AC01 , 4D075AC64 , 4D075AE21 , 4D075BB66Y , 4D075DA08 , 4D075DA35 , 4D075DC22 , 4D075EA05 , 4D075EB01 , 4F042AA07 , 4F042BA08 , 4F042CC04 , 4F042CC09 , 4F042DA01 , 4F042EB08 , 4F042EB09 , 4F042EB17 , 5F043AA26 , 5F043BB18 , 5F043DD02 , 5F043EE07 , 5F043EE08 , 5F043EE35 , 5F043FF10 , 5F043GG02 , 5F043GG04

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体基板の塗布膜除去装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-233400 出願人：ソニー株式会社
半導体基板の表面処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-214422 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
洗浄処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-136769 出願人：株式会社東芝

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