特許
J-GLOBAL ID：200903075803520297

半導体発光装置とその製造方法

発明者：
山本 直

山本 直 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-330774
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172222
出願日： 1995年12月19日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：
【要約】【課題】 AlGaInP系の半導体発光装置において、リアルガイド型構成とし、しかも結晶性にすぐれ、すぐれたレーザ特性を有する半導体発光装置を構成する。【解決手段】少なくとも第1導電型の第1のクラッド層3と、活性層4と、第2導電型の第2のクラッド層5とを有するAlGaInP系の半導体発光装置において、第2のクラッド層5にストライプ状リッジ8が形成され、このストライプ状リッジ8を挟んでその両側に形成された溝7を埋込んで活性層4よりバンドギャップが大で、屈折率が小なる第1導電型のAlGaAsによる電流狭窄層19が形成された構成とする。
請求項（抜粋）：
少なくとも第1導電型の第1のクラッド層と、活性層と、第2導電型の第2のクラッド層とを有するAlGaInP系の半導体発光装置において、上記第2のクラッド層にストライプ状リッジが形成され、該ストライプ状リッジを挟んでその両側に形成された溝を埋込んで上記活性層よりバンドギャップが大で、屈折率が小なる第1導電型のAlGaAsによる電流狭窄層が形成されてなることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 B
引用特許：
審査官引用 (7件)
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