特許

J-GLOBAL ID：200903075817433656

半導体装置

発明者： 中西 啓哲 ,  吉田 雅昭 ,  岩井 盛家
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-150246
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347435
出願日： 2002年05月24日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】 ソース領域とドレイン領域の間に高電圧を印加せずに書き替えることができる不揮発性メモリセルを提供する。【解決手段】 コントロールゲート領域9a上にシリコン酸化膜11を介して形成されたフローティングゲート15aの一部はコントロールゲート領域9b上のトンネル酸化膜13b上に延伸している。コントロールゲート領域9b上にシリコン酸化膜11を介して形成されたフローティングゲート15bの一部はコントロールゲート領域9a上のトンネル酸化膜13a上に延伸している。コントロールゲート領域9aに高電圧、コントロールゲート領域9bに低電圧を印加した場合、フローティングゲート9aにはコントロールゲート領域9b上に延伸する部分からトンネル酸化膜13bを介して電子が注入され、フローティングゲート9bにはコントロールゲート領域9a上に延伸する部分からトンネル酸化膜13aを介して電子が引き抜かれる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板上に互いに分離して形成された第2導電型のコントロールゲート領域、ソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域とドレイン領域の間のチャンネル領域とはゲート酸化膜を介し、前記半導体基板及び前記コントロールゲート領域とは絶縁膜を介して前記チャンネル領域上から前記コントロールゲート領域上に延伸して形成されたフローティングゲートを備えたセンストランジスタを2個もち、両センストランジスタの前記フローティングゲートの一部は互いに他方のセンストランジスタの前記コントロールゲート領域上に延伸して前記コントロールゲート領域とは酸化膜を介して重なり合い、この酸化膜の少なくとも一部はトンネル酸化膜を構成する不揮発性メモリセルを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 ,  G11C 16/06 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H03K 17/30

FI (4件)：

H03K 17/30 E ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434 ,  G11C 17/00 632 C

Fターム (51件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD02 ,  5B025AD04 ,  5B025AD08 ,  5B025AD09 ,  5B025AD13 ,  5B025AE00 ,  5F083EP02 ,  5F083EP09 ,  5F083EP22 ,  5F083EP30 ,  5F083EP34 ,  5F083EP35 ,  5F083EP42 ,  5F083EP72 ,  5F083ER03 ,  5F083ER07 ,  5F083ER14 ,  5F083ER17 ,  5F083ER21 ,  5F083GA19 ,  5F083GA22 ,  5F101BA02 ,  5F101BA16 ,  5F101BA24 ,  5F101BA36 ,  5F101BB03 ,  5F101BB06 ,  5F101BB09 ,  5F101BC01 ,  5F101BD24 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BG07 ,  5J055AX11 ,  5J055BX01 ,  5J055CX27 ,  5J055DX02 ,  5J055EY01 ,  5J055EY03 ,  5J055EY21 ,  5J055EZ09 ,  5J055EZ29 ,  5J055EZ51 ,  5J055GX01 ,  5J055GX02 ,  5J055GX07 ,  5J055GX08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-169481
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-184528   出願人：株式会社日立製作所
• レギュレータ内蔵半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-230939   出願人：日本電気株式会社
• 特開平1-307273