特許
J-GLOBAL ID:200903075832728018

炭化珪素単結晶育成用炭化珪素原料と炭化珪素単結晶及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-053403
公開番号(公開出願番号):特開2005-239496
出願日: 2004年02月27日
公開日(公表日): 2005年09月08日
要約:
【課題】 本発明は、高純度な炭化珪素単結晶の製造方法及びそれに用いられる原料を提供する。【解決手段】 昇華再結晶法により成長した炭化珪素単結晶又は炭化珪素多結晶の一方又は双方の粉砕物である炭化珪素単結晶育成用炭化珪素原料、及び、この原料を用いた昇華再結晶法により種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
昇華再結晶法により成長した炭化珪素単結晶又は炭化珪素多結晶の一方又は双方の粉砕物である炭化珪素単結晶育成用炭化珪素原料。
IPC (2件):
C30B29/36 ,  C01B31/36
FI (2件):
C30B29/36 A ,  C01B31/36 601Y
Fターム (17件):
4G077AA02 ,  4G077AB09 ,  4G077BE08 ,  4G077DA18 ,  4G077EC03 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01 ,  4G077SA04 ,  4G146MA14 ,  4G146MB02 ,  4G146MB07 ,  4G146MB18A ,  4G146MB18B ,  4G146MB30 ,  4G146PA01 ,  4G146PA08
引用特許:
審査官引用 (4件)
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