特許

J-GLOBAL ID：200903075836470724

半導体基板の処理方法

発明者： 山田 直樹
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-271905
公開番号（公開出願番号）：特開平11-168106
出願日： 1998年09月25日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：

【要約】【課題】 水素アニールのような危険な処理を伴わず、デバイス不良に結びつく欠陥を有効に低減することができる半導体基板の処理方法を提供する。【解決手段】 購入したシリコン基板10に対してD-HF処理、SC-1処理等を施して、シリコン基板10表面を露出する。次に、表面が露出し、Grown-in欠陥12や微小酸素析出物14を内包するシリコン基板10をアルゴン雰囲気中で酸素外方拡散熱処理を行う。例えば、アルゴン雰囲気中で、約1000°C〜1300°Cの範囲内で、約1時間、熱処理を行う。これにより、水素雰囲気中で酸素外方拡散熱処理した場合と同様に、シリコン基板10の表面近くの欠陥12、14が小さくなり、基板表面の欠陥が低減する。

請求項（抜粋）：

半導体基板を表面処理して、前記半導体基板表面の酸化膜の膜厚を約2nm以下にする工程と、窒素を除く不活性ガス雰囲気中の炉内に、前記半導体基板を約300°C以下の温度に保つように搬入する工程と、所定の外方拡散熱処理温度まで昇温して、前記半導体基板中の不純物を外方拡散する工程とを有することを特徴とする半導体基板の処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/324

FI (2件)：

H01L 21/322 Y ,  H01L 21/324 X

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-347179   出願人：株式会社東芝
• シリコンウエーハ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-077093   出願人：東芝セラミックス株式会社
• 特開昭58-171826
  
• 特開平1-242500
  
• 特開平4-167433