特許

J-GLOBAL ID：200903075875596700

半導体装置の製造方法

発明者： 橋本 修一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-191206
公開番号（公開出願番号）：特開平11-038644
出願日： 1997年07月16日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】 化学増幅系レジストにおいて、T型レジスト形状を解消し、良好なパターン形状を得ることのできるレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 基板上に形成された化学増幅系レジスト膜を露光する工程と、前記レジスト膜を加熱処理する工程と、前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程をこの順序で実施するレジストパターン形成方法において、前記レジスト膜の加熱処理を通常の気圧よりも高い圧力下で行う。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された化学増幅系レジスト膜を露光する工程と、前記レジスト膜を加熱処理する工程と、前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程をこの順序で実施するレジストパターン形成方法において、前記レジスト膜の加熱処理を通常の気圧よりも高い圧力下で行うことを特徴とする化学増幅系レジストパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/38 511 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/38 511 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 568

引用特許：

審査官引用 (2件)

• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-235134   出願人：株式会社東芝
• 熱処理装置および基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-018259   出願人：大日本スクリーン製造株式会社