Geベース材料上のゲルマニウム酸窒化物層の生成

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：坂口博 , 市位嘉宏 , 上野剛史 , 太佐種一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-527418
公開番号（公開出願番号）：特表2007-534149
出願日： 2004年09月23日
公開日（公表日）： 2007年11月22日
要約：

【課題】 Geベース材料上にゲルマニウム酸窒化物層を生成すること。【解決手段】ゲート誘電体として用いるために、6nmより薄い等価酸化物厚をもつ薄いゲルマニウム酸窒化物層をGeベース材料上に生成する方法が開示される。この方法は二ステップのプロセスを含む。第一に、窒素がGeベース材料の表面層に組込まれる。第二に、窒素組込みステップ後に酸化ステップが続く。本方法は、MOSトランジスタなどのGeベース電界効果デバイスのための高品質ゲート誘電体の厚さに対する優れた制御をもたらす。薄いゲルマニウム酸窒化物ゲート誘電体を有するデバイスの構造及びこのようなデバイスから作られるプロセッサも同様に開示される。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

ゲルマニウム酸窒化物層をGeベース材料の上に生成する方法であって、第一濃度の窒素を前記Geベース材料の第一表面の下にある表面層に組込むステップと、該Geベース材料の前記第一表面を有酸素環境に曝すことにより前記酸窒化物層の成長を誘起するステップと、を含み、前記表面層における前記第一濃度の窒素が該酸窒化物層の成長を制御する、方法。

IPC (2件)：

H01L 21/318 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L21/318 C , H01L29/78 301B , H01L29/78 301G

Fターム (11件)：

5F058BC11 , 5F058BC20 , 5F058BF62 , 5F058BF64 , 5F058BJ01 , 5F140AA05 , 5F140BA03 , 5F140BA05 , 5F140BD04 , 5F140BE07 , 5F140BE08

引用文献：

審査官引用 (2件)

前のページに戻る