特許

J-GLOBAL ID：200903075936538350

GaN系ヘテロ接合電界効果トランジスタ及びその特性を制御する方法

発明者： チョウ ドンヒョン ,  清水 三聡 ,  奥村 元
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-061561
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258005
出願日： 2002年03月07日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】 ワイドバンドギャップ系半導体のヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて、負性抵抗を制御性よく発現できる構造を提示する。【解決手段】 AlGaN/GaNヘテロ接合に形成された二次元電子チャンネルの近くにn型GaN層を設け、さらにドレイン電極を表面のAlGaN層及びn型GaN層に同時に接触させる。

請求項（抜粋）：

ヘテロ接合からわずかに離れた位置に、n型にドーピングされたGaN層を配置し、ヘテロ界面に形成されている二次元電子チャンネル内の電子がGaN層側へ熱放出する際の障壁の高さを制御するよう構成したGaN系ヘテロ接合電界効果型トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/80 H

Fターム (37件)：

4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB06 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD35 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104FF17 ,  4M104GG11 ,  4M104HH20 ,  5F102FB03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GL08 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GR13 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GV07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC16 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 負性抵抗電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-368916   出願人：経済産業省産業技術総合研究所長, 菅谷武芳, 小倉睦郎, 杉山佳延
• 非線形の伝達特性をもつ電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-154568   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド