半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-152958
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345977
出願日： 1998年06月02日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：

【要約】【課題】半導体スイッチング素子の温度上昇を、容易に製造可能な手段によって効果的に抑制可能にすること。【解決手段】 SOI構造の半導体基板21上には絶縁分離用トレンチ25によって囲まれた島状シリコン層24aが形成され、この外周囲部分にバッファ領域28が設けられる。島状シリコン層24aには、Nチャネル型LDMOS44の構成要素として、ドレインコンタクト層35並びにその周囲に同心状にレイアウトされたリング状のソース拡散層32、33、ドリフト層30などが形成される。バッファ領域28の上方には、伝熱性が良好な材料より成る矩形枠状のバッファ領域電極膜43が、島状シリコン層24aを包囲した形態で形成される。このバッファ領域電極膜43は、バッファ領域28の表面部に形成されたバッファ領域用コンタクト層36に対してコンタクトホール43aを介して電気的且つ伝熱的に接続されると共に、配線パターン、電極パッド部などを介してグランド端子に接続される。

請求項（抜粋）：

ベース基板(22)上に当該ベース基板(22)と電気的に絶縁した状態で設けられた半導体層(24)に絶縁分離用トレンチ(25)により囲まれた島状領域(24a)を形成し、その島状領域(24a)内に負荷駆動用の横型構造の半導体スイッチング素子(44)を形成する構成とした半導体装置において、前記半導体層(24)上に、熱伝導性が良好な材料より成る伝熱部材(43)を前記島状領域(24a)を包囲した状態で形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/76 , H01L 27/08 331 , H01L 29/78

FI (6件)：

H01L 29/78 626 Z , H01L 27/08 331 E , H01L 21/76 L , H01L 29/78 301 X , H01L 29/78 621 , H01L 29/78 622

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-328123 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-038434 出願人：日本電装株式会社
液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-102144 出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (3件)

半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-328123 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-038434 出願人：日本電装株式会社
液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-102144 出願人：ソニー株式会社

前のページに戻る