特許
J-GLOBAL ID：200903075975069260

シリコンの再利用方法ならびにその方法により製造したシリコンおよびシリコンインゴット

発明者：
福山 稔章

福山 稔章 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-195029
公開番号（公開出願番号）：特開2007-008789
出願日： 2005年07月04日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：
【課題】 シリコン塊の切断により得られるシリコン端材を、高純度の太陽電池用原料シリコンとして効率よく再利用する。【解決手段】 本発明は、シリコン塊を切断して得られるシリコン端材を太陽電池用シリコン原料として利用するシリコンの再利用方法であって、ある局面によれば、シリコン端材を加熱溶融する工程と、溶融シリコンを一方向凝固させてシリコンインゴットを形成する工程と、シリコンインゴットの不純物濃縮部を除去する工程とを備えることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
シリコン塊を切断して得られるシリコン端材を太陽電池用シリコン原料として利用するシリコンの再利用方法であって、 前記シリコン端材を加熱溶融する工程と、 溶融シリコンを一方向凝固させてシリコンインゴットを形成する工程と、 前記シリコンインゴットの不純物濃縮部を除去する工程と を備えることを特徴とするシリコンの再利用方法。
IPC (3件)：
C01B 33/037 ,  C01B 33/02 ,  H01L 31/04
FI (3件)：
C01B33/037 ,  C01B33/02 E ,  H01L31/04 H
Fターム (14件)：
4G072AA01 ,  4G072BB01 ,  4G072BB12 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072MM08 ,  4G072MM38 ,  4G072UU02 ,  5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051BA11 ,  5F051CB03 ,  5F051CB05 ,  5F051CB29
引用特許：
審査官引用 (5件)
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