特許
J-GLOBAL ID：200903075980929090

分子導線と金属電極の接続方法および基板

発明者：
古川 一暁

古川 一暁 について

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樫村 吉晃

樫村 吉晃 について

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江幡 啓介

江幡 啓介 について

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森田 雅夫

森田 雅夫 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-040230
公開番号（公開出願番号）：特開2001-225406
出願日： 2000年02月17日
公開日（公表日）： 2001年08月21日
要約：
【要約】【課題】 分子スケールのデバイス製造において必要不可欠な分子導線と金属電極の接続方法、およびそれらの接続構造を含んだ基板に関し、分子導線と電極との間に十分な電気的接触をとること。【解決手段】 基板1上の所定位置に金属電極2,3を形成する(a)。単一分子または複数個の分子の集合からなる分子導線4を金属電極2,3近傍または跨るように配置する(b)。金属電極2,3と分子導線4それぞれの少なくとも一部を導電性物質である金属メッキ7,8により接続する(c)。
請求項（抜粋）：
所定位置に金属電極を形成する第1工程と、単一分子または複数個の分子の集合からなる分子導線を前記金属電極近傍に配置する第2工程と、前記金属電極と前記分子導線それぞれの少なくとも一部を導電性物質により接続する第3工程とを含んだことを特徴とする分子導線と金属電極の接続方法。
IPC (6件)：
B32B 3/00 ,  C23C 18/31 ,  C25D 7/00 ,  H01B 5/14 ,  H01L 21/288 ,  H01R 4/00
FI (6件)：
B32B 3/00 ,  C23C 18/31 A ,  C25D 7/00 H ,  H01B 5/14 B ,  H01L 21/288 E ,  H01R 4/00 Z
Fターム (44件)：
4F100AB01A ,  4F100BA02 ,  4F100JG01A ,  4F100JG01B ,  4K022AA02 ,  4K022AA31 ,  4K022AA43 ,  4K022BA08 ,  4K022BA35 ,  4K022CA08 ,  4K022DA01 ,  4K024AA11 ,  4K024AA12 ,  4K024AB01 ,  4K024AB19 ,  4K024BA01 ,  4K024BB10 ,  4K024BC10 ,  4K024FA07 ,  4K024FA08 ,  4K024GA14 ,  4M104AA01 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104DD51 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD68 ,  4M104FF01 ,  4M104FF11 ,  4M104FF26 ,  4M104GG20 ,  5E085BB26 ,  5E085CC01 ,  5E085CC05 ,  5E085DD20 ,  5E085EE32 ,  5E085FF19 ,  5E085JJ03
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (3件)

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