特許
J-GLOBAL ID：200903075981334170

半導体装置およびその製造方法

発明者：
松木 英夫

松木 英夫 について

, 
ラジェシュ クマール

ラジェシュ クマール について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 恩田 博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-088330
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289881
出願日： 2001年03月26日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：
【要約】【課題】新規な構成にて素子サイズを増大させることなくショットキー接触面積を確保することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1は高濃度n型層2とその上の低濃度n型層3からなる。半導体基板1の下面に裏面電極8がオーミック接触するように配置されている。半導体基板1の上面にはn型エピタキシャル層4が選択的にエピタキシャル成長されている。半導体基板1の上面を含めてn型エピタキシャル層4とショットキー接触するように金属電極5が配置されている。半導体基板1の上面における選択的にエピタキシャル成長させたn型エピタキシャル層4の間での表層部にp型領域6が形成されている。半導体基板1の上面におけるn型エピタキシャル層4の形成領域よりも外側での表層部にガードリング用p型領域7が形成されている。
請求項（抜粋）：
高濃度n型層とその上の低濃度n型層からなる半導体基板と、前記半導体基板の下面にオーミック接触するように配置された裏面電極と、前記半導体基板の上面に選択的にエピタキシャル成長させたn型エピタキシャル層と、前記半導体基板の上面を含めて前記n型エピタキシャル層とショットキー接触するように配置された金属電極と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 G
Fターム (8件)：
4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD91 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH14
引用特許：
審査官引用 (3件)

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