特許
J-GLOBAL ID：200903075997589764

フリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオード及びその製造方法

発明者：
申 賢 秀

申 賢 秀 について


出願人/特許権者：
三星電機株式会社

三星電機株式会社 について


代理人 (1件)： 三好 秀和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-376747
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019939
出願日： 2003年11月06日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】本発明は発光ダイオードにおける電極配列を最適化しながらボンディングのための充分な面積を確保でき、輝度及び信頼性を向上させることのできるフリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオード及びその製造方法に関するものである。【解決手段】前記発光ダイオード40は、n側電極及びp側電極を最小線幅のライン形態に形成し、相互等間隔を有しながら平行するよう配置して、発光面積を犠牲させることなく均一な電流拡散効果が得られ、不導体のパシベーション層上に反射膜とボンディング用電極を蒸着することによりLEDの発光効率を増大し、充分なボンディング面積を確保してSi基板61を通した熱放出特性を増加させられる。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
サファイア基板と、 前記基板上に第1GaNクラッド層、活性層、第2GaNクラッド層順に形成され、前記第1GaNクラッド層の1つ以上の領域が所定の幅を有する直線形態で露出する発光構造物と、 前記発光構造物が露出した第1GaNクラッド層及び第2GaNクラッド層上に最小線幅を有するライン形態で相互平行に形成される第1、第2電極と、 前記発光構造物及び多数の電極上に形成され、一部分が穿孔されて多数の電極各々の所定領域を除いた残りの部分及び発光構造物を保護するパシベーション層と、 前記パシベーション層の上部に相互絶縁するよう形成され、各々前記パシベーションの穿孔された部分を通して第1、第2電極と接触する第1、第2ボンディング用電極と、 を有することを特徴とするフリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオード。
IPC (3件)：
H01L33/00 ,  H01L21/60 ,  H01L23/36
FI (4件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 D ,  H01L21/60 311Q ,  H01L23/36 D
Fターム (21件)：
5F036AA01 ,  5F036BB21 ,  5F036BE09 ,  5F041AA03 ,  5F041AA33 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA84 ,  5F041CA85 ,  5F041CA86 ,  5F041CA87 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F041CB11 ,  5F041DA04 ,  5F041EE23 ,  5F044QQ06
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許番号第6、333、522号
審査官引用 (5件)
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