半導体光素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-204017
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036195
出願日： 1999年07月19日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】本願発明は、半導体光素子の諸特性を確保しつつ、長寿命なる半導体光素子を提供せんとするものである。この為の技術的課題は化合物半導体材料、わけても活性層への亜鉛(Zn)の拡散の制御にある。より具体的には、過剰なZnがInPクラッド層やコンタクト層から活性層に拡散を阻止ないしは減少させることである。【解決手段】本願発明は、Alを実質的に含有しない活性層と亜鉛を含有する化合物半導体層とを有する化合物半導体積層体の、前記Alを実質的に含有しない活性層と前記亜鉛を含有する化合物半導体層との間に亜鉛の拡散を抑制する化合物半導体層を少なくとも有せしめる。亜鉛の拡散を抑制する化合物半導体層の具体例はInGaAlAs層である。

請求項（抜粋）：

Alを実質的に含有しない活性層と亜鉛を含有する化合物半導体層とを有する化合物半導体積層体の、前記Alを実質的に含有しない活性層と前記亜鉛を含有する化合物半導体層との間に亜鉛の拡散を抑制する化合物半導体層を少なくとも有することを特徴とする半導体光素子。

Fターム (9件)：

5F073AA45 , 5F073AA51 , 5F073AA74 , 5F073BA02 , 5F073CA07 , 5F073CA12 , 5F073EA14 , 5F073EA28 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体多層構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-052229 出願人：株式会社日立製作所
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-056085 出願人：株式会社東芝

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