特許
J-GLOBAL ID：200903076030300469

電子部品のめっき方法、及び電子部品

発明者：
高野 良比古

高野 良比古 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


代理人 (1件)： 國弘 安俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-053344
公開番号（公開出願番号）：特開2003-253454
出願日： 2002年02月28日
公開日（公表日）： 2003年09月10日
要約：
【要約】【課題】 簡単な方法で電極上にのみ容易に所望のめっき皮膜を形成することのできるようにした。【解決手段】 表面にCu電極又はAg電極が形成されたセラミック素体に対し、脱脂工程11で脱脂処理を行なった後、エッチング工程12で表面形状の微調整を行い、次いで酸活性化工程13でスマットを除去する。次に、Niめっき工程14ではヒドラジン又はその誘導体を還元剤に使用して電極表面に高純度なNi皮膜を形成する。次いで、Ni-Pめっき工程15ではホスフィン酸ナトリウムを還元剤として無電解めっきを施し、Ni皮膜上にNi-P皮膜を形成し、Auめっき工程16ではAu置換めっきを行い、Ni-P皮膜上にAu皮膜を形成する。さらにこの後、必要に応じて自己触媒めっき反応を生じさせてAu皮膜を重層し、所望厚膜のAu皮膜を形成する。
請求項（抜粋）：
セラミック素体の表面に電極が形成された被めっき物に無電解めっきを施してニッケル-リン皮膜及び金皮膜を順次形成する電子部品のめっき方法において、還元剤の酸化反応に対し電極材料が高い触媒活性を呈する物質を還元剤に使用し、無電解めっきを施して高純度のニッケル皮膜を形成した後、前記ニッケル-リン皮膜及び前記金皮膜を順次形成することを特徴とする電子部品のめっき方法。
IPC (2件)：
C23C 18/18 ,  C23C 18/34
FI (2件)：
C23C 18/18 ,  C23C 18/34
Fターム (17件)：
4K022AA02 ,  4K022AA04 ,  4K022BA01 ,  4K022BA03 ,  4K022BA08 ,  4K022BA16 ,  4K022BA36 ,  4K022CA03 ,  4K022CA04 ,  4K022CA15 ,  4K022CA19 ,  4K022CA22 ,  4K022CA23 ,  4K022DA01 ,  4K022DA03 ,  4K022DB02 ,  4K022DB05
引用特許：
審査官引用 (4件)
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