特許

J-GLOBAL ID：200903076041473071

非対称面積メモリセル

発明者： シェン テン スー ,  フェンヤン ザン
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-335193
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175461
出願日： 2004年11月18日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：

【課題】非対称面積メモリセルおよび非対称面積メモリセルを製造する方法が提供される。【解決手段】本発明の方法は、ある面積を有する下部電極102を形成する工程と、下部電極の上に、非対称面積を有するCMRメモリ膜106を形成する工程と、CMR膜の上に、下部電極面積よりも狭い面積を有する上部電極110を形成する工程とを包含する。ある局面において、CMR膜は、上部電極に隣接する第1の面積と、第1の面積よりも大きい、下部電極に隣接する第2の面積とを有する。代表的には、CMR膜の第1の面積は、上部電極面積にほぼ等しいが、CMR膜の第2の面積は、下部電極面積よりも狭くなり得る。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

非対称面積メモリセルを形成する方法であって、 ある面積を有する下部電極を形成する工程と、 該下部電極の上に、非対称面積を有する超巨大磁気抵抗(CMR)メモリ膜を形成する工程と、 該CMR膜の上に、該下部電極面積よりも狭い面積を有する上部電極を形成する工程と を包含する、方法。

IPC (5件)：

H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L43/08

FI (5件)：

H01L27/10 447 ,  G11C11/15 112 ,  H01L21/28 301R ,  H01L43/08 Z ,  H01L21/88 R

Fターム (36件)：

4M104BB06 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104EE08 ,  4M104EE09 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF18 ,  4M104GG06 ,  4M104GG10 ,  4M104GG16 ,  4M104HH14 ,  5F033HH07 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033HH35 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033MM15 ,  5F033RR03 ,  5F033RR06 ,  5F033TT08 ,  5F033VV16 ,  5F033WW02 ,  5F033XX03 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA21 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083PR03 ,  5F083PR07 ,  5F083PR10 ,  5F083PR22 ,  5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特許第6204139号
  
• 記憶セル、この記録セルを用いたメモリマトリックス及びこれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-042055   出願人：大日本印刷株式会社
• 半導体記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-207564   出願人：株式会社東芝